据长鑫存储官网，11月28日，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。

其中，12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。

本次的LPDDR5是长鑫面向中高端移动设备市场推出的产品，应用领域包括笔记本电脑、智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。

与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了RAS功能，通过内置纠错码（On-die ECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。

根据公开资料，长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥，在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。公司作为一体化存储器制造公司，专注DRAM芯片设计、研发、生产和销售，已推出多款DRA商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

据清华大学新闻网消息，近来，清华团队在忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破。近期，清华大学集成电路学院吴华强教授、高滨副教授基于存算一体计算范式，在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破，研究成果发表在《科学》（Science）上。

钱鹤、吴华强带领团队创新设计出适用于忆阻器存算一体的高效片上学习的新型通用算法和架构（STELLAR），研制出全球首颗全系统集成的、支持高效片上学习的忆阻器存算一体芯片。相同任务下，该芯片实现片上学习的能耗仅为先进工艺下专用集成电路（ASIC）系统的1/35，同时有望实现75倍的能效提升。“存算一体片上学习在实现更低延迟和更小能耗的同时，能够有效保护用户隐私和数据。”博士后姚鹏介绍，该芯片参照仿生类脑处理方式，可实现不同任务的快速“片上训练”与“片上识别”，能够有效完成边缘计算场景下的增量学习任务，以极低的耗电适应新场景、学习新知识，以满足用户的个性化需求。

中信证券认为，海外大厂稼动控制下，存储供需逐渐改善，看好产业链公司2024全年业绩将持续改善。预计今年下半年，随库存去化、需求逐步回归，未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇。

长电科技在近日的“走进上市公司”活动上表示，已经看到市场开始复苏，看法和国际上主流晶圆厂看法也是一致。从几个应用来看，手机市场出现了比较可喜的，特别是在高端的硬件应用方面，恢复趋势比较明显。直接和公司相关的高密度射频前端，手机存储芯片感觉到复苏的迹象，会持续增长下去。明年大模型落地的应用会逐渐走入高端品牌手机里面。所以复苏不仅是数量的回升，对于集成电路芯片来讲，是硬件升级，从终端走向新的高端的结构性趋势。

来源：传感器专家网